Dispositivo de compensación de potencia reactiva dinámica de alto voltaje serie HYMSVC
Descripción del Producto
El conjunto completo de compensación dinámica de potencia reactiva de control magnético MSVC consta de un panel de control principal de MSVC, una rama del reactor de control magnético (MCR) y una rama de compensación (filtrado), que pueden realizar una compensación dinámica continua de la potencia reactiva.La rama de compensación (filtrado) se compone principalmente de condensadores, reactores, bobinas de descarga y componentes de protección.Tiene la función de proporcionar compensación y filtrado de potencia reactiva capacitiva.La rama del reactor de magnetrón (MCR) está compuesta por el cuerpo principal del reactor de magnetrón (MCR), un dispositivo de control del disparador de cambio de fase tipo ST, etc., y tiene la función de ajustar dinámicamente la potencia reactiva.El panel de control principal de MSVC está compuesto por una unidad de control principal de MSVC, un controlador inteligente de apertura y cierre de cruce por cero, protección del microordenador del reactor, protección del microordenador del condensador y equipos auxiliares relacionados.
Modelo del Producto
descripcion del modelo
Parámetros técnicos
caracteristica principal
Reactor saturable controlable (MCR) tipo “válvula magnética”, adopta tecnología de excitación de CC autodaño, no necesita fuente de alimentación de excitación de CC externa y está completamente controlado por el devanado interno del reactor.
●A través del control del tiristor de bajo voltaje, se logra el ajuste de la potencia reactiva del sistema de alto voltaje, con alta confiabilidad y bajo costo.
●El núcleo de hierro del reactor está en el modo de trabajo de saturación magnética límite, lo que reduce en gran medida los armónicos y tiene las características de baja pérdida de potencia activa, velocidad de respuesta rápida y salida de potencia reactiva continua y suave.
●Usando tecnología de disparo de cambio de fase de aislamiento óptico, disparador de cambio de fase de transmisión de fibra óptica, control de autoalimentación de alto potencial, que mejora el nivel de aislamiento del sistema, mejora la capacidad antiinterferencia del dispositivo y reduce el volumen de el equipamiento.
Características
●El sistema de control adopta el controlador multi-CPU basado en el chip DSP, que tiene alta confiabilidad y estabilidad, y la velocidad de operación es rápida y se pueden realizar algoritmos complejos.
●Diseño modular, expansión flexible.
●SCR adopta componentes de alta calidad, recolección de energía de alto voltaje, activación fotoeléctrica, protección DBO, un fuerte sistema antiinterferencias y operación confiable.
La parte de monitoreo se compone de una máquina de monitoreo host, una interfaz de visualización hombre-máquina y otros dispositivos terminales correspondientes, que pueden monitorear continuamente la calidad de la energía del sistema.
●Se puede conectar directamente a niveles de voltaje de 6 kV, 10 kV, 35 kV y 27,5 kV.
Puede realizar control simultáneo trifásico, control de separación de fases, control de equilibrio trifásico
●Con protección de software maestro y protección de respaldo de microcomputadora.
Otros parámetros
Parámetros técnicos
●Nivel de voltaje: 6~35kV
●Precisión de control: 0,5%
●Tiempo de respuesta dinámica: <100 ms
●Capacidad de sobrecarga: 110%
● alimentación de CA
●Desviación permitida: -20%~+40%.
●Frecuencia: CA, 50±1Hz
●Frecuencia nominal: 50Hz
●Método de enfriamiento SCR: autoenfriamiento, enfriamiento por aire
●Método de control: potencia reactiva
●Nivel de ruido: 65dB
●Tensión nominal: trifásica 380V, monofásica 220V0
●Potencia: trifásica 380V no más de 10kw/fase, monofásica 220V no más de 3kw.
●Fuente de alimentación CC
●Tensión nominal: 220V
●Desviación permitida: -10%~+10%
●Potencia: ≤550Wa
Dimensiones
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●Tensión nominal del sistema
●Capacidad nominal (capacidad del reactor magnetotrón + capacidad de instalación del condensador)
●Número de transformadores principales
●Número de grupos derivados de condensadores
●Fondo armónico del sistema
●Método de instalación y ubicación
●Usando el entorno
